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能量探測器原理的熒光光譜儀
發布時間：2020-04-23 10:52:12 點擊：3630
波長色散X射線熒光光譜儀的優點是整體分辨率高，穩定性好。但分光晶體的使用在提高分辨率的同時，也使得體系結構變得復雜。在嚴酷環境和現場分析時，波長色散X射線光譜儀變得不再實用。
能量探測器由于無需晶體分光即可獲得足夠的分辨率，因此省卻了分光和測角系統，且能滿足大部分實際應用的需要，特別是在太空探測、現場和原位分析領域具有不可替代的作用。因此能量探測器獲得了足夠的重視和相當快的發展。其中以Si(Li)為代表的半導體探測器已被廣泛應用于實際。
能量探測原理在X射線光譜分析技術領域，能量探測器是目前發展最快的領域，它具有比正比計數器和閃爍計數器更高的能量分辨率。目前鋰漂移硅探測器已得到廣泛應用。
能量探測器原理的熒光光譜儀
在結構上，鋰漂移硅探測器是一種硅或鍺單晶半導體探測器，表層為正電性的p型硅，中間為鋰補償本征區，底層為負電性的n型硅，組成PIN型二極管。其中表層p型區為死層，是非活性探測區，本征區則是由鋰漂移進p型硅中形成，以補償其中的不純物或摻雜物，并增加電阻。鋰漂移硅探測器通常可表示為Si(Li)，簡稱硅鋰探測器。
當在探測器的兩端施加一逆向偏壓，產生的電場將耗盡補償區中的殘留電子空穴對載流子，該耗盡區就是探測器的輻射敏感區或活性區。當X射線光子穿過半導體的鋰漂移活性區時，其中的硅原子將由于光電吸收產生光電子，在負偏壓作用下，空穴流向p型區，電子流向n型區。探測器直徑越小，在低能范圍的分辨率越高，厚度越大，對高能光子的探測效率越高。以上為X熒光能量探測器的分析的原理和開展的研究。
