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光譜儀硅鋰漂移探測器
發布時間：2020-07-24 09:41:34 點擊：3305
光譜儀硅鋰漂移探測器是在P型硅表面蒸發一層金屬鋰并擴散形成PN結，然后在反向電壓和適當溫度下使鋰離子在硅原子之間漂移入硅中，由于鋰離子很容易吸引一個自由電子而成為施主，從而與硅中的P型（受主）雜質實現補償而形成高阻的本征層(探測器的靈敏區)。
光譜儀硅鋰漂移探測器
硅(鋰)探測器的特點是靈敏層厚度可以做得相當大（3-10毫米），因而探測器電容也比較小，探測效率高，但是必須在液氮冷卻下保存（因為在室溫下鋰離子的遷移能力已經不能忽略了，而鋰離子的遷移會破壞在制備硅(鋰)探測器時達到的精密補償。這是硅(鋰)探測器保存時候也需要在液氮溫度的根本原因。當然還有其它原因）和工作，一般說來其能量分辨、高計數率性能、使用方便性、體積和價格等性能都不如硅漂移探測器。
請注意：硅鋰漂移探測器和硅漂移探測器是兩種不同的探測器，硅鋰漂移探測器是因為在制造過程中采用了鋰離子漂移補償的方法而得名，而硅漂移探測器則是射線產生的載流子（電子-空穴對）中的電子先必須漂移到陽極區以后才能形成可以測量的電信號（硅漂移探測器中空穴對電信號沒有貢獻）而得名。
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